投资七百万 极紫外线(EUV)项目启动

2013-12-09 admin1 91

  由ASML公司生成的第一台EUV光刻机预计明年年初交付给客户,并将于2014年开始完整的半导体晶片生产,届时将能够加工小到20nm的结构。

  但是,未来半导体产业的发展蓝图需要甚至比这还小的结构,而且Zeiss主导的项目的目标是将EUV的分辨率提高到14nm。

  光学产业巨头Carl Zeiss公司主导了一个新项目以提高极紫外线(EUV)光学系统的分辨率,改进后的结果会远远超过第一代产品的分辨率。“ETIK”项目由德国教育与研究部资助,历时三年,耗资达七百万欧元,其焦点集中在EUV系统的光学元件上,包括投影镜头上使用的镜子表面的一种全新的设计方案。

  在这个项目中,有其它六家德国的公司和研究机构与Zeiss公司进行合作。这其中包括了柏林的Bestec公司和斯图加特的IMS CHIPS公司。Bestec公司主要负责开发新一代反射仪,用来测量EUV光学系统的反射率。而IMS CHIPS公司将为投影镜头提供光学元件。

  合作单位还包括了斯图加特大学的技术光学研究所,以及位于德勒斯顿的电子束与等离子体技术弗劳恩霍夫研究所、位于耶拿的应用光学与精密工程弗劳恩霍夫研究所和同样位于德累斯顿的材料与束流技术弗劳恩霍夫研究所。

  Carl Zeiss半导体制造技术中心的Andreas Dorsel评论道:“我们会看到EUV技术是未来的微电子产业的关键所在。这个项目把那些成熟的专家聚集到了一起。现在,他们将把EUV带上一个新的台阶。”

  虽然EUV光刻技术的原理(使用13.5nm的光以前所未有的精度仿制半导体晶片)早已被人们理解,但是这项技术才刚刚实现商业化应用。

  EUV光源的输出功率和稳定性是主要的技术障碍。然而,现在激光驱动源的功率水平已经高到足以支撑一个现代化半导体芯片工厂的生产力,加上Intel公司做出了在未来工具发展上进行巨额投资的承诺,看来EUV光刻技术的时代终于要来临了。

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