多晶硅片酸腐蚀制绒面技术

2013-08-16 51
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因为在切割好的多晶硅片和抛光后的单晶硅片的过程中所产生的损伤会被酸性混合溶液腐蚀。该混合物中包括氢氟酸,硝酸,与去离子水,而磷酸或硫酸则作为稀释剂。在腐蚀刚开始的阶段,因为硅片切割时产生的表面裂缝,转化深和长的坑。这种坑所产生的反射是很低的。然而,由于进行酸腐蚀损坏的表面区域之外,更多的反射,泡沫般的腐蚀绒面获得。

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