MBE法和HVPE法生长GaN光学性质比较

2013-08-05 67
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利用反射光谱和光致发光谱,对采用氢化物气相外延法(HVPE)和分子束外延法(MBE)生长GaN样品的光学性质进行了研究。由反射光谱得出样品的膜厚和禁带宽,同时也说明了HVPE法生长GaN的速率快于MBE法。而通过不同积分时间下的光致发光谱的分析,可以看出MBE制备样品中没有明显的黄带发光现象,而且带边发光峰光强比HVPE样品强,初步结论是MBE比HVPE制备样品质量好。

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