MBE法和HVPE法生长GaN光学性质比较

利用反射光谱和光致发光谱，对采用氢化物气相外延法（HVPE）和分子束外延法（MBE）生长GaN样品的光学性质进行了研究。由反射光谱得出样品的膜厚和禁带宽，同时也说明了HVPE法生长GaN的速率快于MBE法。而通过不同积分时间下的光致发光谱的分析，可以看出MBE制备样品中没有明显的黄带发光现象，而且带边发光峰光强比HVPE样品强，初步结论是MBE比HVPE制备样品质量好。